半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 辻村 歩; 西川 孝司 |
| 发表日期 | 1998-04-28 |
| 专利号 | JP1998112565A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ZnSe系2-6族化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低電圧駆動の半導体レーザ構造を提供する。 【解決手段】 半導体レーザは、n型GaAs基板1上にn型ZnSSe層3、n型ZnMgSSe層4、ZnCdSe活性層6、p型ZnMgSSe層8、p型ZnSSe層9を具備している。p型ZnSSe系半導体9に対して価電子帯のバンドオフセットが0.3eV以下の半導体、例えばp型ZnCdSSe系半導体とp型ZnSe/ZnTe超格子層とp型ZnTeコンタクト層からなる構成により、コンタクト抵抗が小さくなり、低駆動電圧化が再現性よく達成できる。 |
| 公开日期 | 1998-04-28 |
| 申请日期 | 1996-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83785]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々井 洋一,上山 智,齋藤 徹,等. 半導体発光素子. JP1998112565A. 1998-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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