半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井手 大輔 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022565A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 フォトレジスト技術といった複雑な工程を必要とせず、簡単なプロセスで、レーザ端面上に二つの異なる反射率を有する誘電体薄膜領域を形成することができ、高歩留まりで、良好な雑音特性をもつ半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 エッチングによって活性層3とクラッド層2及び4とに段差を形成した後、1回の誘電体薄膜形成工程において、共振器端面の活性層3近傍部分の反射率が30%以上に、その他の部分の反射率が20%以下になるように、レーザ端面上に二つの異なる膜厚を有する誘電体薄膜領域10を形成することによって、レーザ素子に入射するディスクからの戻り光を、レーザへの入射部分、即ち端面が低反射率である基板部分1にほとんど吸収させ、活性層4にはほとんど吸収させずに、戻り光雑音を低減する。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井手 大輔. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1998022565A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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