半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人; 石橋 晃; 森 芳文; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 1995-07-04 |
| 专利号 | JP1995170017A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 4元系半導体レーザーにおけるクラッド層におけるLAフォノンの散乱を減少させ、熱伝導率の向上をはかって、レーザー特性、寿命の改善、室温連続発振を可能にするものである。 【構成】 4元系半導体レーザーにおいて、活性層13に接して設けられるクラッド層12及び14の少くとも一方が、3元系混晶の各薄膜半導体の周期的積層による超格子構造の4元系クラッド層によって構成し、この超格子構造のクラッド層は、その平均組成が活性層13に対し所要のバンドギャップ差と屈折率差とを有し、活性層13にキャリアと光の閉じ込め効果を奏し得る4元系混晶の組成と同程度の組成に選定されて成る構成とする。 |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 申请日期 | 1985-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83803]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人,石橋 晃,森 芳文,等. 半導体レーザー. JP1995170017A. 1995-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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