半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨士原 潔; 森 義弘 |
| 发表日期 | 1997-04-08 |
| 专利号 | JP1997097946A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高バイアス駆動時に光出力の飽和の少ない半導体レーザを実現する。 【解決手段】 n-InP基板1上形成した埋め込み型へテロ構造において、活性層の直上以外の領域にp-InGaAsPコンタクト層を形成し、さらにp-InGaAsPコンタクト層の上にp型電極を形成し、さらに金属多層膜を蒸着する。この構造により、半導体レーザをヒートシンクに取り付けた際に、活性層とはんだ材との間に熱伝導の悪いInGaAsP層や絶縁膜が存在しなくなり、放熱特性が向上して、高バイアス駆動時でも光出力飽和の少ない特性の半導体レーザが実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-04-08 |
| 申请日期 | 1996-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83811]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨士原 潔,森 義弘. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997097946A. 1997-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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