半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 横川 俊哉; 吉井 重雄; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1996-10-01 |
| 专利号 | JP1996255955A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値電流密度で発振する半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板11上に、n型ZnSeエピタキシャル層12、n型ZnMgSSeクラッド層13、n型ZnSSe光導波層14、ZnCdSe活性層15、p型ZnSSe光導波層16、p型ZnMgSSeクラッド層17、p型ZnTeコンタクト層18、多結晶ZnO埋込層19を形成する。さらにp型AuPd電極110とn型In電極111とを形成する。ここでは、多結晶ZnO埋込層19を電流狭窄層と光閉込め層に用いていることにより、熱放散が良いことから低しきい値電流密度と長寿命が実現できる。また効果的な光閉込めにより単一横モードレーザ発振が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-10-01 |
| 申请日期 | 1996-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83812]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横川 俊哉,吉井 重雄,佐々井 洋一. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1996255955A. 1996-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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