半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 穴山 親志; 堂免 恵; 古谷 章; 菅野 真実; 棚橋 俊之 |
| 发表日期 | 1993-10-08 |
| 专利号 | JP1993259566A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP系材料を活性層成分として用いる、たとえば波長600nm帯の赤色発光レーザ等の半導体発光装置に関し、結晶性に優れたn型層へのドーピング方法を開発し、高品位の光学的スラブ導波路構造を内蔵する半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】 順メサストライプまたは逆メサストライプのメサ構造を有し、主面がほぼ(100)面であるGaAs基板上の当該メサ構造上に(Alx Ga1-x )y In1-y Pからなる活性層および活性層を挟み、(Alu Ga1-u )v In1-v Pからなるクラッド層を含むダブルヘテロ構造の積層領域を設け、当該積層領域の平坦部に選択的に通電して発光せしめる構造の半導体発光装置において、前記メサ構造の斜面が、(100)面から(111)B面方向へ傾斜したB面の斜面からなり、当該斜面を埋める如くしてその上に堆積する複数層のうちあるn型層のドーパントをSiとして構成した。 |
| 公开日期 | 1993-10-08 |
| 申请日期 | 1992-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83815]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,堂免 恵,等. 半導体発光装置. JP1993259566A. 1993-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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