半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 内田 憲治; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097580A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】焦点位置を光出力と独立に制御可能な半導体レーザ素子をあたえる。 【構成】半導体レーザのストライプ構造をMOCVD法による選択成長により光導波路及び電流狭搾を行う構造とし、光導波路の形成後選択成長マスクをサイドエッチングにより細くする。この構造の端面領域のみ素子全体とは独立に電流注入量を変調できるように電極を形成する。 【効果】端面領域の電流注入量を変化することにより、レーザの波面を曲げ電流によりレーザビームの焦点位置を制御できる。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83819]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,内田 憲治,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1994097580A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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