半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畑 雅幸; 竹内 邦生; 太田 潔 |
| 发表日期 | 2010-03-25 |
| 专利号 | JP2010067868A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】複数の半導体レーザ素子が接合された集積型半導体レーザ装置において、オーミック電極層の特性が悪化するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100は、青紫色半導体レーザ素子10と、青紫色半導体レーザ素子10上に接合され、青紫色半導体レーザ素子10の接合側とは反対側から、Pを含む化合物半導体からなるn型コンタクト層51とn型クラッド層52と活性層53とp型クラッド層54とがこの順に形成された赤色半導体レーザ素子50とを備える。赤色半導体レーザ素子50は、p型クラッド層54の青紫色半導体レーザ素子10の接合側の表面54aと、表面54aと同じ側に設けられたn型コンタクト層51の表面51aと、表面51a上に形成されたn側電極58と、表面54a上に形成されたp側パッド電極57とを含む。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-03-25 |
| 申请日期 | 2008-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83822]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,竹内 邦生,太田 潔. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2010067868A. 2010-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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