窒化物半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山下 文雄 |
| 发表日期 | 2008-05-08 |
| 专利号 | JP2008108894A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】電流の広がりによるロスを抑えることができる窒化物半導体レーザ素子を再現性良く製造することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】基板上に、第1のn型窒化物半導体層と、p型の窒化物半導体または前記第1のn型窒化物半導体層よりも高抵抗な窒化物半導体からなる電流阻止層と、をこの順序で含む第1の層構造を結晶成長により形成する第1工程と、電流阻止層の一部を溝状に除去する第2工程と、溝状に除去された部分を埋め込むようにして電流阻止層上に第2のn型窒化物半導体層をその表面が概ね平坦になるまで結晶成長させる第3工程と、第2のn型窒化物半導体層の一部を除去する第4工程と、除去後の第2のn型窒化物半導体層の表面上に、活性層と、p型窒化物半導体層と、をこの順序で含む第2の層構造を結晶成長により形成する第5工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-05-08 |
| 申请日期 | 2006-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83828]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山下 文雄. 窒化物半導体レーザ素子の製造方法. JP2008108894A. 2008-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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