半導体レーザダイオードの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 早藤 紀生 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037079A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジサイド上の上クラッド層厚みを精密に制御できるリッジ型レーザダイオードの容易な製造方法を得る。 【構成】 上クラッド層4上に連続してキャップ層5をエピタキシャル成長した後、キャップ層を順メサ形状に、上クラッド層をリッジ以外の領域を全て除去するように逆メサ形状に加工してリッジを形成し、該リッジが形成されたウェハ上に、順メサの側面には結晶成長が生じない条件で所望の層厚の再成長上クラッド層及びブロック層を連続的に結晶成長し、これに連続して順メサの側面にも結晶成長が生じる条件でコンタクト層を形成するようにした。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83830]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早藤 紀生. 半導体レーザダイオードの製造方法. JP1993037079A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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