半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松山 隆之 |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP1997283838A |
| 著作权人 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ型半導体レーザ装置の単一モード性を維持したまま、素子抵抗を低下させ、高出力まで単一モードで発振する半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】活性層に対し基板と反対側のクラッド層内に絶縁物よりなる狭窄層を設け、同時に電流狭窄層上部の電極面積は大きく取れる構造を採用する。 |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 申请日期 | 1996-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83832]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山 隆之. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997283838A. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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