半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 昌幸; 上谷 ▲高▼弘; 別所 靖之; ▲広▼山 良治; 西田 豊三 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264902A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 低発振しきい値電流を有し、且つ自励発振可能な半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【構成】 n型AlGaInP系クラッド層3上に形成された、引張り歪みを有するAlGaInP系又はGaInP系量子井戸層5aと圧縮歪みを有するAlGaInP系量子障壁層5bが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層5と、この活性層5上に形成されたストライプ状のリッジ部7cを有するp型AlGaInP系クラッド層7と、このリッジ部7c上面の一部を少なくとも除いてp型クラッド層7上に形成されたn型電流阻止層11、11と、を備え、上記各量子井戸層5aの歪み量と層厚との積の和と、上記各量子障壁層5bの歪み量と層厚との積の和との合計値である歪積算量Δが-7×10-10m〜-88×10-10mであり、各量子井戸層5aの層厚の和と量子障壁層5bの層厚との和の合計値tが0.07μm以上0.15μm以下であると共に、活性層5と電流阻止層11の間の最短距離dが0.27μm以上0.44μm以下である。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83835]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,上谷 ▲高▼弘,別所 靖之,等. 半導体レーザ素子. JP1996264902A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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