半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 新田 幸代; 丸谷 幸利 |
| 发表日期 | 1995-07-04 |
| 专利号 | JP1995170014A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 しきい値電流の低減化をはかり低消費電力、高出力の半導体レーザを構成することができるとともに、高信頼性を有し、光集積化を容易に行うことができるようにする【構成】 {100}結晶面を主面とする化合物半導体基板1に、〔01-1〕結晶軸方向に沿う逆メサ溝2が両端に形成され、かつ〔011〕結晶軸方向に沿うように形成されたストライプリッジ3を設け、その基板1のストライプリッジ3を有する主面上に、少なくとも第1のクラッド層11と、活性層13と、第2のクラッド層12とが形成され、少なくとも活性層13が他部と分断されて形成された半導体レーザ部がストライプリッジ3上に形成された構成とする。 |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 申请日期 | 1993-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83839]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,新田 幸代,丸谷 幸利. 半導体レーザ. JP1995170014A. 1995-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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