半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 久光 守; 野田 憲秀 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022268A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 ダークスポット、ダークラインによる発光領域の劣化を防止する。 【解決手段】 活性層14において電流狭窄されることによってストライプ状に限定された電流注入領域の両側に、活性層14を切断し、n型クラッド層13にまで到達するような深い溝21、21を形成して、この溝21、21によって上記の電流注入ストライプ領域を孤立化せしめ、このストライプ領域へ向かって伸びるダークラインやダークスポットを溝21、21によってくいとめる。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83841]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久光 守,野田 憲秀. 半導体レーザ装置. JP2000022268A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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