半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 浅賀 達也 |
| 发表日期 | 1993-07-30 |
| 专利号 | JP1993190976A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【構成】 1mm×1mmの範囲内で平坦度±0.1μm以内、量子井戸層と障壁層のヘテロ界面で組成変化の遷移領域の厚さが0.6nm以内の半導体層を用いた量子井戸構造半導体レーザ。 【効果】 水平横モードが制御され、広い温度範囲で大出力パルス発振可能な半導体レーザとなる。 |
| 公开日期 | 1993-07-30 |
| 申请日期 | 1992-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83849]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅賀 達也. 半導体レーザ. JP1993190976A. 1993-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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