面発光半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小路 元 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263792A |
| 著作权人 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJIYOUHOU SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】特性や信頼性、生産性の向上した面発光半導体レーザを制御性よく容易に製造する。 【構成】半導体電流ブロック層4 と選択成長用のマスク誘電体膜6 を順次形成し、前記誘電体膜6 と電流ブロック層4 を選択的に除去してレーザ共振器となる領域に開口部7 を形成し、前記誘電体膜6 をマスクとして、前記開口部7 内に前記電流ブロック層4 と第1のクラッド層8 と活性層9,10,11と、第2のクラッド層12を順次形成する工程を有する面発光半導体レーザおよびその製造方法。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83857]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | GIJUTSU KENKYU KUMIAI SHINJIYOUHOU SHIYORI KAIHATSU KIKO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小路 元. 面発光半導体レーザおよびその製造方法. JP1995263792A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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