窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 修二; 清久 裕之; 小崎 徳也; 岩佐 成人 |
| 发表日期 | 1999-07-13 |
| 专利号 | JP1999191637A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶欠陥の少ない窒化物半導体を下地層として用い、例えばレーザ素子、LED素子、受光素子等に使用できる高効率で信頼性の高い窒化物半導体素子を実現する。 【構成】 結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きい。または結晶欠陥が多い領域と、結晶欠陥が少ない領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部にレーザ発振領域を有しており、そのレーザ発振領域は結晶欠陥が少ない下地層上部に設けられている。これらの構成により結晶欠陥が活性領域に転位しないので長寿命な素子が得られる。 |
| 公开日期 | 1999-07-13 |
| 申请日期 | 1998-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83858]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 修二,清久 裕之,小崎 徳也,等. 窒化物半導体素子. JP1999191637A. 1999-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。