半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 八木 克己; 池上 隆俊; 山本 裕記 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP1999284276A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 より少ない成長で作製することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置では、n-GaAs基板41上に、MOVPE法などにより連続的に1回目の結晶成長で、n-AlGaInPクラッド層42、GaInP活性層43、p-GaInPクラッド層44、膜厚3Åのp-GaAs表面層45、p-AlGaInPブロック層46及びn-GaAsブロック層47を順次成長させ、また、選択エッチングによるストライプ状溝形成後、MOVPE法などにより2回目の結晶成長で、p-AlGaAsコンタクト層48及びp-GaAsコンタクト層49を成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 申请日期 | 1998-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83859]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 克己,池上 隆俊,山本 裕記. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999284276A. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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