半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 憲治 |
| 发表日期 | 1999-07-02 |
| 专利号 | JP1999177176A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】活性層中にキャリアおよび光を十分に閉じ込めることができ、さらに、活性層に隣接するクラッド層部分での結晶欠陥による光の吸収を低減させることで、高出力、低しきい値電流、長寿命が実現できる半導体レーザを提供することにある。 【解決手段】活性層4の両側に位置する下クラッド層3および上クラッド層5の両方または一方を、上記活性層4に隣接して配置された高Al混晶比かつ低ドーピング濃度の第1クラッド層3a、5aと、その第1クラッド層に隣接して配置された低Al混晶比かつ高ドーピング濃度の第2クラッド層3b、5bとで構成する。 |
| 公开日期 | 1999-07-02 |
| 申请日期 | 1997-12-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83869]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 憲治. 半導体レーザ. JP1999177176A. 1999-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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