半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 芦田 喜章; 守谷 浩志; 平高 敏則; 森田 守; 湯▲浅▼ 堂司; 鷲野 隆 |
| 发表日期 | 2004-04-02 |
| 专利号 | JP2004104076A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子において、レーザ光出射端面の変形を制御することによって光軸がずれず、また出射端面の変形が環境温度にも影響されることのない半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】半導体基板上に活性層を備え、前記活性層の上方に電極膜を備え、レーザ共振器の長手方向に劈開された端面を備え、前記端面にコーティング膜を備え、前記電極膜が引張応力を有し、前記コーティング膜が圧縮応力を有する半導体レーザ素子において、少なくとも前記端面近傍の前記電極膜の表面側あるいは活性層側に圧縮応力を有する端面反り防止膜を形成している。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-02 |
| 申请日期 | 2003-04-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83870]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芦田 喜章,守谷 浩志,平高 敏則,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2004104076A. 2004-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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