半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 富田 章久 |
| 发表日期 | 1998-04-24 |
| 专利号 | JP1998107364A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層からの電子の漏れ出しを抑えることにより、長寿命で、温度によるしきい値電流の変化が小さく、かつ低雑音の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 電子障壁層17を設け、また、ガイド層13,15をn型ドープすることにより、ガイド層15とp型クラッド層20との間の電子障壁を高める。 |
| 公开日期 | 1998-04-24 |
| 申请日期 | 1996-09-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83877]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富田 章久. 半導体レーザ. JP1998107364A. 1998-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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