窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2003-05-23 |
| 专利号 | JP3431389B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。 【構成】 基板上部に形成されたInGaNを含む活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有するn型若しくはp型のクラッド層とを有することにより、リッジの下の活性層に光を集中させて、レーザ素子の閾値電流を低下させる。 |
| 公开日期 | 2003-07-28 |
| 申请日期 | 1996-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83879]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3431389B2. 2003-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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