半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 鹿島 保昌; 松井 康浩; 上條 健 |
| 发表日期 | 1994-02-25 |
| 专利号 | JP1994053601A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リーク電流が少なくなるような構造を2回にわたる有機金属気相成長法により得る半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 低閾値動作する単一横モード半導体レーザの製造方法において、p型InP基板1上にアンドープのInPバッファ層2を形成する工程と、該InPバッファ層2上にp型InPクラッド層3を形成する工程と、該InPクラッド層3上にp型GaInAsPエッチングストップ層4を形成する工程と、該GaInAsPエッチングストップ層4上にp型InP電流ブロック層5、n型のInP電流ブロック層6及びp型InP電流ブロック層7からなる3層の電流ブロック層を形成する工程と、選択エッチングにより前記GaInAsPエッチングストップ層4に達するストライプ状の溝を形成する工程と、該ストライプ状の溝の底に露出する前記GaInAsPエッチングストップ層4を選択的にエッチングする工程と、そのストライプ状の溝を有する積層基板上に有機金属気相成長法により、ダブルヘテロ構造を形成する工程とを施す。 |
| 公开日期 | 1994-02-25 |
| 申请日期 | 1992-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83881]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,鹿島 保昌,松井 康浩,等. 半導体レーザの製造方法. JP1994053601A. 1994-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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