半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 山田 敦史; 浅井 昭彦 |
| 发表日期 | 1993-10-15 |
| 专利号 | JP1993267778A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体光増幅器で、窓領域の上面部の反射率を抑圧し、入力光波長変動の少なく、かつ、シングルモードファイバとの結合損失が小さい。 【構成】基板と、基板の上に位置する活性領域と、活性領域に上に位置するクラッド層と、前記活性領域の一方または両方の端面近傍に位置する窓領域とを有する半導体光増幅器において、窓領域の上面部を粗面とした。 |
| 公开日期 | 1993-10-15 |
| 申请日期 | 1992-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 敦史,浅井 昭彦. 半導体光増幅器. JP1993267778A. 1993-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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