半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中西 千登勢; 瀧口 治久 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299770A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は内部ストライプ構造の導波路損失を適正し効率の良い屈折率導波構造を作り込むことにより安定した基本横モードで発振する低閾値で、楕円率も改善され、非点隔差がない、半導体レーザ装置を再現性良く量産することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザを作製する方法は、半導体基板上に、クラッド層、活性層、クラッド層電流ブロック層などの複数の半導体層を成長させる工程とクラッド層や電流ブロック層を選択的にエッチングして共振器方向に平行な凸部を有するストライプ溝を形成する工程とを包含する。ストライプ中央部に凸部をもつ屈折率分布を構成することにより実効的に導波路幅をストライプ幅よりも狭くできる。即ち光導波路の近接領域が光吸収層でないために光導波モードとしては損失導波でなく実屈折率導波となる。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83884]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 千登勢,瀧口 治久. 半導体レーザ装置. JP1993299770A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。