半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 渡辺 賢司; 高森 毅 |
| 发表日期 | 1993-08-13 |
| 专利号 | JP1993206565A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 Si基板上にMOVPE法及びMBE成長法により、狭いストライプ領域に選択的に半導体レーザを形成し、結晶欠陥の発生を軽減できると共に、ドーパントの極性を面方位によりコントロールして電流の閉じ込める構造を持ち、同時に各原子のマイグレーションの面方位依存性の差により、光の閉じ込め構造を持つ信頼性の高い、長寿命の導体レーザ素子を得る。 【構成】 (111)側面を有する順メサストライプ上に、(111)B面、(111)A面と(100)面を有するn型GaAsを選択成長して、格子不整合により生じる結晶欠陥を低減したn-Si基板1上に、MBE法により量子井戸を活性層6とするダブルヘテロ構造を形成し、MBE成長法による原子のマイグレーションの面方位による違いと、Siドーパンの導電性の面方位依存性により、屈折率導波機構と電流狭窄機構とを持つ半導体レーザ素子を上記のストライプ上にのみ作り付ける。 |
| 公开日期 | 1993-08-13 |
| 申请日期 | 1991-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,渡辺 賢司,高森 毅. 半導体レーザ素子. JP1993206565A. 1993-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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