半導体光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 神徳 正樹; 曲 克明; 伊藤 敏夫; 河野 健治 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142814A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層のスポットサイズが、単一モード光ファイバと整合した半導体光増幅素子を提供する。 【構成】 共通光導波層104上に光増幅器が装荷されている領域Aと、共通光導波層104の上に光増幅器が装荷されていない領域Cと、前記領域Aと前記領域Cとの中間の領域Bとの3つの領域を形成し、前記領域Aにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記活性層107と上側および下側SCH層108および106と前記共通導波層104とにより、左右方向については前記リッジ構造αにより行い、前記領域Cにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記共通導波層104により、左右方向については前記リッジ構造Γにより行い、当該領域Cを伝搬する信号光のスポットサイズを前記領域Aを伝搬する信号光のスポットサイズよりも大きくする。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83892]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神徳 正樹,曲 克明,伊藤 敏夫,等. 半導体光増幅素子. JP1995142814A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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