半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田辺 哲弘; 芦田 雅由 |
| 发表日期 | 1997-12-02 |
| 专利号 | JP1997312435A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaAs系材料を用いた半導体レーザ装置において、従来GaInPを用いていることにより生じていた問題点を解決し、信頼性に優れかつ製造効率の高い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、基板101上に下クラッド層102、活性層103、第1上クラッド層104a、電流ブロック層106、第2上クラッド層104b、コンタクト層108を積層しているが、第1上クラッド層と電流ブロック層との間に、InGaAlP層105を積層することで、従来エッチングストッパとして用いられていたGaInP層に比べ、良質の成膜が可能となるとともに製造効率が向上した。 |
| 公开日期 | 1997-12-02 |
| 申请日期 | 1996-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田辺 哲弘,芦田 雅由. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997312435A. 1997-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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