半導体レ-ザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 天野 利昌; 近藤 進; 中野 純一 |
| 发表日期 | 1993-12-27 |
| 专利号 | JP1993347453A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、活性層内に効率良くキャリアおよび光を閉じ込め構造として、単一モード、高出力、低閾値、高速応答性及び高信頼度の半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 nまたはp型リン化インジウム(InP)基体1上に、クラッド層2、4で挟まれた活性層3を有するメサストライプ領域が形成され、かつ、該メサストライプ領域を電流抑制層15で埋め込んだ、メサストライプ埋め込み型ダブルヘテロ接合半導体レーザ素子において、メサストライプ領域を埋め込む電流抑制層が、少なくともヒ素化インジウム-アルミニウム(InAlAs)結晶またはヒ素化ガリウム-インジウム-アルミニウム(GaInAlAs)結晶からなることを特徴とし、該電流抑制層は液相成長法により形成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-12-27 |
| 申请日期 | 1992-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83904]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天野 利昌,近藤 進,中野 純一. 半導体レ-ザ素子及びその製造方法. JP1993347453A. 1993-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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