半導体量子井戸構造
文献类型：专利
| 作者 | 神徳 正樹; 河野 健治 |
| 发表日期 | 1993-12-17 |
| 专利号 | JP1993333388A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸構造 |
| 英文摘要 | 【目的】導波路層にしめる量子井戸層の割合を高め、導波路として屈折率変化が大きく、低電圧化された半導体量子井戸構造を得る。 【構成】量子井戸層2と電子蓄積層4との間に電界制御層3を設け、該電界制御層3に上記電子蓄積層4と反対のタイプのドーピングを行い、上記量子井戸層2に強い電界がかからぬようにする。 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 申请日期 | 1992-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神徳 正樹,河野 健治. 半導体量子井戸構造. JP1993333388A. 1993-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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