半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 細井 信行; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125285A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。 【解決手段】 第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1μm未満の活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1995-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,細井 信行,後藤 秀樹. 半導体発光装置. JP1996125285A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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