分布帰還型レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀川 英明; 中村 幸治; 中島 徹人; 後藤 修 |
| 发表日期 | 1996-12-03 |
| 专利号 | JP1996321661A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の結晶性が均一で、かつ光ガイド層および活性層の組成比を任意に制御することができる分布帰還型レーザの製造方法を提供する。 【構成】 下地10上に、回折格子領域12を形成した後、非回折格子領域16の上側全面に第1サブ光ガイド層20aを形成すると同時に、非回折格子領域側の上側表面に、第1サブ光ガイド層20aと連続して延在する少なくとも3つの平行な第2サブ光ガイド層20bを形成する。有機金属気相成長法を用いて第1および第2サブ光ガイド層表面および下地の露出面全体にわたって活性層24を形成する。活性層の上面にエッチングマスクを形成した後、このエッチングマスクを用いて非回折領域側の活性層の一部をエッチング除去する。エッチングマスクを除去した後、非回折格子領域側の光ガイド層間に残存している活性層および光ガイド層の露出面にクラッド層を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-12-03 |
| 申请日期 | 1995-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83921]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀川 英明,中村 幸治,中島 徹人,等. 分布帰還型レーザの製造方法. JP1996321661A. 1996-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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