半導体レーザおよびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 田辺 哲弘; 中原 健 |
| 发表日期 | 2000-06-30 |
| 专利号 | JP2000183463A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの特性における外部微分量子効率およびθ水平の両方を同時に大きくすることができる半導体レーザおよびその製法を提供する。 【解決手段】 n形GaAs基板1上に、n形下部クラッド層2と、活性層3と、p形上部第1および第2クラッド層4、6と、活性層3へ電流を注入する帯状の電流注入領域を除いてp形上部クラッド層4、6の近傍に設けられるn形の電流制限層8とを有している。そして、電流制限層8に形成される帯状の電流注入領域(上部第2クラッド層6の部分)は、電流注入領域(上部第2クラッド層6)の両端面(出射端面13および後端面14)側での幅S1 が中心部での幅S2より狭くなるように形成され、かつ、狭く形成された幅狭部15のレーザ光の出射端面13側の長さ(いわゆる制限長さ)Lf が後端面14側の幅狭部15の長さ(制限長さ)Lr より長くなるように形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-06-30 |
| 申请日期 | 1998-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83923]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田辺 哲弘,中原 健. 半導体レーザおよびその製法. JP2000183463A. 2000-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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