半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 副島 玲子 |
| 发表日期 | 2000-11-30 |
| 专利号 | JP2000332365A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、基板側電極、特に、n側電極をオーミック化するための熱処理温度を低温化し、活性層の劣化を防止する。 【解決手段】 一導電型SiC基板の一方の主面上に少なくとも発光層を含むナイトライド系化合物半導体層を設けるとともに、一導電型SiC基板の他方の主面と基板側電極との間に半導体層を設ける。 |
| 公开日期 | 2000-11-30 |
| 申请日期 | 1999-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83927]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 副島 玲子. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2000332365A. 2000-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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