半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1993-07-13 |
| 专利号 | JP1993175596A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ型埋め込み構造を有する半導体レーザ装置に関し,電流がクラッド層から埋め込み層を通って流れるのを防止して,電流を活性層に集中できるようにし,発振閾値電流を低下させる。 【構成】 n+ -InP基板11上に,n- -In0.6 Ga0.4 As0.9 P0.1 活性層(λ=55μm)12およびp-In0.92Ga0.08As0.18P0.82クラッド層(λ=0μm)13が形成されている。これらは,基板と同じ材料のp-InP埋め込み層14およびn-InP埋め込み層15によって埋め込まれている。クラッド層13の禁制帯幅は24eVであり,埋め込み層14の禁制帯幅は35eVであるので,界面に正孔に対して0.7eVのポテンシャル障壁が形成される。これによりクラッド層13から埋め込み層14への正孔の流入が抑制され,電流が活性層12に集中するので発振閾値電流が低下する。 |
| 公开日期 | 1993-07-13 |
| 申请日期 | 1991-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,穴山 親志. 半導体レーザ装置. JP1993175596A. 1993-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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