半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己; 岡田 直子; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1998-10-27 |
| 专利号 | JP1998290045A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、ドーパントを適切に選択する旨の簡単な手段をとることで、低いしきい値電流を維持しながら、半導体レーザの短波長化を実現しようとする。 【解決手段】 面指数(100)6°オフの主面間が面指数(411)Aのストライプ斜面で結ばれた段差形状のn-GaAs基板1、その斜面上に発光領域3Aが位置する歪みMQW活性層3、活性層3上にp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5In0.5 Pクラッド層4を介在して形成され主面上のn-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P及び斜面上のp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pで構成された電流ブロック層5を備え、クラッド層4のp型不純物がMgであり、且つ、電流ブロック層5に於けるp型部分のp型不純物がZnであって、MgがZnに比較して半導体結晶中への取り込まれ率の面方位依存性が小さいことを利用している。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,岡田 直子,穴山 親志. 半導体発光装置. JP1998290045A. 1998-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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