窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉本 康宜; 阿部 圭一 |
| 发表日期 | 2004-05-13 |
| 专利号 | JP2004140203A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】良好なFFPが得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】第1及び第2の主面を有する基板と、基板の第1の主面側に積層されてなるn型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、窒化物半導体層は、ストライプ状の導波路領域と、導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体レーザ素子であって、基板は、端部及び/又は第2の主面に、活性層からの光を拡散する光拡散領域が形成されてなることを特徴とする。これにより、導波路領域から洩れだした光を拡散させて主ビームにノイズを生じにくくすることができ、良好なFFPを有する半導体レーザ素子が得られる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-05-13 |
| 申请日期 | 2002-10-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83939]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉本 康宜,阿部 圭一. 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2004140203A. 2004-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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