半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森岡 達也; 大林 健; 高橋 幸司; 池田 裕章 |
| 发表日期 | 2007-04-06 |
| 专利号 | JP3938976B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成された活性層に少なくともInGaAsN層を含んでいる半導体レーザ素子において、従来のAlGaAs系,InGaAsP系で素子を形成した場合、素子設計におけるバンド構造の自由度が小さく特性の良好なものが得られない、さらにこれらの各層で最適結晶成長温度が異なることから界面で待ち時間を設ける必要があり、これに起因して信頼性の良好なものを得ることができていなかった。 【解決手段】 従来用いられていたAlGaAs層或いはInGaAsP層の代わりにInGaAlAsN層或いはInGaAsPN層を使用することにより、InGaAsN層とAlGaAs層或いはInGaAsP層の中間のバンド構造を有するものが得られ設計の自由度が向上する。さらに各層で結晶成長温度を一定に保つことができ信頼性の向上が図れる。 |
| 公开日期 | 2007-06-27 |
| 申请日期 | 1997-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森岡 達也,大林 健,高橋 幸司,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3938976B2. 2007-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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