半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 阿南 隆由 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223969A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい値でかつ高特性温度を有する半導体レーザを提供する。 【解決手段】 InP基板上に積層された、第1の導電性を有する第1の光導波層と、第1の導電性とは異なる導電性を有する第2の光導波層と、前記2つの光導波層に挟まれた活性層領域を有する半導体レーザにおいて、該活性層領域が少なくとも1つの圧縮性歪を有するInAsPからなる量子井戸層を有し、該歪量子井戸層がInAlGaAsからなる障壁層で挟まれている構成とする。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83941]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿南 隆由. 半導体レーザ. JP1998223969A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。