半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 原 義博; 石橋 明彦; 長谷川 義晃; 木戸口 勲; 粂 雅博; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 1999-02-26 |
| 专利号 | JP1999054831A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作時に発生した熱を効率良く放熱し、結果として、長寿命化された半導体発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板101上に、第一の伝導型の半導体層としてのn型GaN層103及びn型AlGaNクラッド層104、発光層であるInGaN活性層105、第2伝導型半導体層としてのp型AlGaNクラッド層106及びp型GaN層107を形成した後、この第一の伝導型の半導体層、第二の伝導型の半導体層及び発光層を有するストライプ状の領域を形成する。ここで、発光層が形成されている層の幅を50μmよりも大きくすることにより、動作時に発生する熱の拡散を効率よくし、半導体発光素子の寿命を長くする。 |
| 公开日期 | 1999-02-26 |
| 申请日期 | 1997-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原 義博,石橋 明彦,長谷川 義晃,等. 半導体発光素子. JP1999054831A. 1999-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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