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分布反射型半導体レーザ

文献类型:专利

作者荒井 滋久; 小森 和弘; 沈 鍾寅; 末松 安晴
发表日期1993-02-26
专利号JP1993048214A
著作权人東京工業大学長
国家日本
文献子类发明申请
其他题名分布反射型半導体レーザ
英文摘要【目的】 生産性に優れ信頼性の高い分布反射型半導体レーザを実現する。 【構成】 活性層上に反射率が互いに相異する第1及び第2の回折格子を一体的に形成すると共に、反射率の低い回折格子及びこれに隣接する活性層の部分だけに電流を注入するように電極領域を形成する。このように構成すれば、反射率の低い回折格子及びこれと隣接する活性層の部分が光利得を有する活性領域として機能し、反射率の高い回折格子及びこれと隣接する部分が高反射率の反射器として機能する。
公开日期1993-02-26
申请日期1991-08-19
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83946]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位東京工業大学長
推荐引用方式
GB/T 7714
荒井 滋久,小森 和弘,沈 鍾寅,等. 分布反射型半導体レーザ. JP1993048214A. 1993-02-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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