半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡島 正季; 茂木 直人 |
| 发表日期 | 1994-10-19 |
| 专利号 | JP1994082888B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 過電流に対して壊れ難い埋込み型半導体レーザ装置の製造方法を提供すること。 【構成】 端面埋込み型の半導体レーザ装置の製造方法において、GaAs基板1上に、GaAlAs系材料からなり、活性層4を主クラッド層2,6で挟み、さらに活性層4と主クラッド層2,6との間に活性層4より大きく主クラッド層2,6より小さい禁制帯幅を有する補助クラッド3,4層を挟んだダブルヘテロ構造部を形成し、次いでダブルヘテロ構造部上にストライプ状のマスク12を形成し、次いでマスク12を用い、ダブルヘテロ構造部をエッチングしてストライプ状のメサを形成し、次いでマスク12で覆われていない部分に活性層4よりも禁制帯幅の大きな埋込み層8を成長して、ダブルヘテロ構造部の側面を埋め込むと共に、該構造部の端面をレーザ共振器端面より内側に埋め込むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-10-19 |
| 申请日期 | 1991-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83947]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡島 正季,茂木 直人. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1994082888B2. 1994-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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