半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 西谷 昭彦; 須郷 満 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242559A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、高出力、高信頼性半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】 少なくとも一層のInx Ga1-x As(0.2 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83948]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西谷 昭彦,須郷 満. 半導体レーザ. JP1998242559A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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