Semiconductor laser device and manufacturing method therefor
文献类型：专利
| 作者 | YAGI, TETSUYA |
| 发表日期 | 2009-08-27 |
| 专利号 | US20090213888A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device and manufacturing method therefor |
| 英文摘要 | A semiconductor laser device includes a semiconductor laser, a dangling bond terminating film a cleaved surface of the semiconductor laser and composed of a lithium film or a beryllium film, and a coating film on the dangling bond terminating film. |
| 公开日期 | 2009-08-27 |
| 申请日期 | 2009-01-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83953]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAGI, TETSUYA. Semiconductor laser device and manufacturing method therefor. US20090213888A1. 2009-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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