窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 幡 俊雄; 猪口 和彦 |
| 发表日期 | 2007-07-27 |
| 专利号 | JP3988961B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 信頼性に優れた内部電流狭窄型の窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板21と、基板21上に設けられた積層構造体200とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、この積層構造体200は、活性層24と、該活性層24を挟む一対のクラッド層23、25と、一対のクラッド層23、25のうち基板21から遠い方のクラッド層25上に形成された再蒸発層26と、再蒸発層26上に設けられ、活性層24の選択された領域に電流を狭窄するための開口部を持った内部電流狭窄層27と、内部電流狭窄層27の開口部を埋める再成長層28、29とを備えている。再蒸発層26は、内部電流狭窄層27に開口部を形成する工程でエッチストップ層として機能し、さらに過飽和吸収体として機能する。 |
| 公开日期 | 2007-10-10 |
| 申请日期 | 1997-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83969]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幡 俊雄,猪口 和彦. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP3988961B2. 2007-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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