半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 矢沢 正光; 百瀬 正之; 濱田 博; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307196A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】ビームアスペクト比を1に近づけるための従来の方法は、加工基板の形状が複雑かつ成長プロセスが非常に複雑であった。 【解決手段】マスク付き基板を用いた選択成長により、マスク開口部より小さい、あるいはそれと同等な幅をもち、(111)を斜面とする屋根型をしたレーザ活性層構造を形成し、マスク除去後さらに上記(111)面上に成長が起こりにくいMOCVD成長条件下で上記屋根型部をpn構造で埋め込む |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢沢 正光,百瀬 正之,濱田 博,等. 半導体光素子. JP2000307196A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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