窒化物半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 尺田 幸男 |
| 发表日期 | 2009-05-28 |
| 专利号 | JP2009117543A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ部に加わる圧力や応力の発生をなくし、リッジ部への悪影響を防止することができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】GaN基板1上にn型GaNコンタクト層2、MQW活性層3、p型AlGaNクラッド層4が順に形成されており、GaN基板1の裏面にはn電極8が形成される。また、p型AlGaNクラッド層4の凸形状のリッジストライプとp型GaNコンタクト層5とでリッジ部Aが構成されている。リッジ部Aの両側には、GaN系半導体からなる支柱9、10が形成されており、リッジ部Aと類似のリッジストライプ構造で構成される。支柱9の高さ及び支柱10の方が、リッジ部Aの高さよりも高く形成される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-05-28 |
| 申请日期 | 2007-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83971]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尺田 幸男. 窒化物半導体発光素子及びその製造方法. JP2009117543A. 2009-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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