半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大柴 小枝子; 中村 幸治; 山内 義則 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998206808A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高速変調が可能な、メサ側面をFeドープInP埋め込み層で埋め込んだ半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 メサ側面をFeドープ高抵抗埋め込み層5で埋め込んだ半導体光変調器において、n型InP基板1上に形成されるアンドープInGaAsP光吸収層2と、この光吸収層2に接してp=1×1017cm-3以下の低濃度の不純物濃度のp型InP埋め込み層3と、この埋め込み層3に接して4×1017cm-3以上の高濃度の不純物濃度のp型InPクラッド層8と、メサ側面の電極パッドの下をポリイミド膜10の埋め込み構造とする。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大柴 小枝子,中村 幸治,山内 義則. 半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置. JP1998206808A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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