化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 山本 雅裕 |
| 发表日期 | 1997-10-07 |
| 专利号 | JP1997266354A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 加工が容易な外部反射鏡を用いることで、低しきい値のGaN系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 サファイアからなる基板11上に、厚さ5ミクロンのn型GaN層12、0.5ミクロンのn型AlGaN層13、0.2ミクロンのGaN層14、0.3ミクロンp型AlGaN層15、0.5ミクロンのp型GaN層16をMBE法によってエピタキシャル成長させ成長させる。成長後、任意の大きさに割ることにより素子化する。さらに、端面にポリイミドをコーティングし、平坦化を行うことにより低しきい値でレーザ発振する発光素子が得られる。 |
| 公开日期 | 1997-10-07 |
| 申请日期 | 1996-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83982]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,山本 雅裕. 化合物半導体発光素子. JP1997266354A. 1997-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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