半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP2000294876A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 量子井戸への光閉じ込めを低下させ且つコンタクト層での吸収ロスを低減させて、特性の向上と高出力とを実現することが可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層103上にクラッド層104,107が形成された屈折率導波構造を有し、クラッド層107上にコンタクト層108が形成されている。コンタクト層108の開口の幅x2 [μm]は活性層103の幅x1 [μm]以上である。クラッド層の厚さをt[μm]として、(x2 -x1 )≦√(36-4t2 )が成り立つ。コンタクト層108の開口は活性層103の直上の領域を含む領域に形成されており、コンタクト層108の開口の幅を規定する端縁と活性層103の端縁との距離が3μm以下である。活性層103は歪多重量子井戸構造を有するものである。 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 申请日期 | 1999-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 半導体レーザ. JP2000294876A. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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